场效应管参数大全，场效应管型号大全

场效应管参数大全，场效应管型号大全

场效应管（FET）是一种电压控制型半导体器件，广泛应用于电子电路中。小编将详细介绍场效应管的基本类型、主要参数和型号，帮助您更好地了解和使用场效应管。

1.场效应管类型

场效应管主要有两种类型：结型场效应管（JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（MOS-FET）。

-JFET：由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作等优点。MOS-FET：具有输入电阻高、噪声小、功耗低等优点，在电路中可构成高性能放大器和开关型稳压电源。目前广泛用作功率放大器和振荡器等电子电路的核心元件。

2.MOS管参数详解

MOS管是场效应管中的一种，以下将详细介绍其参数：

2.1静态特性

1.V(R)DSS：漏源破坏电压，指在漏源之间施加电压时，不发生破坏的最大电压值。

2.VGS(th)、VGS(off)：阈值电压，指使源极S和漏极D之间开始形成导电沟道的最小栅极电压。

3.RDS(on)：导通电阻，指在漏源之间施加额定电压时，流过漏极的电流与栅极电压的比值。

4.IDSS：零栅压漏极电流，指在栅极电压为零时，漏极的电流值。

5.IGSS：栅源漏电流，指在栅源之间施加额定电压时，漏极的电流值。

2.2动态特性

1.Ciss：输入电容，指在栅极和源极之间施加电压时，流过漏极的电流与电压的比值。

2.Coss：输出电容，指在漏极和源极之间施加电压时，流过栅极的电流与电压的比值。

3.Crss：米勒电容（反向传输电容），指在漏极和源极之间施加电压时，流过栅极的电流与电压的比值。

3.常见MOS管型号

-IRF540：N沟道增强型MOS-FET，适用于高电压、大电流的功率应用。

IRL540：N沟道耗尽型MOS-FET，适用于低电压、小电流的应用。

IRL640：沟道增强型MOS-FET，适用于高电压、大电流的功率应用。

4.场效应管应用

MOS管在电子电路中应用广泛，以下列举一些典型应用：

-开关电源：MOS管具有快速开关特性，适用于开关电源中的开关管。

逆变器：MOS管可用于逆变器中的开关元件，实现交流电到直流电的转换。

直流电机驱动器：MOS管可用于直流电机驱动器中的开关元件，实现电机的启动、停止和调速。

场效应管是一种重要的半导体器件，具有多种类型、参数和型号。了解场效应管的基本知识，有助于我们在电子电路设计和应用中选择合适的场效应管。