场效应管参数，20n60场效应管参数

场效应管参数解析：20N60场效应管参数详解

场效应管（Field-EffectTransistor，简称FET）是电子电路中常用的一种半导体器件，具有输入阻抗高、开关速度快、功耗低等优点。今天，我们将深入探讨20N60场效应管的参数，帮助您更好地了解和使用这一器件。

1.20N60场效应管基本参数

20N60场效应管的型号中，“20”代表其承受电压为200V，而“60”则代表其承受电流为60A。这两个参数是场效应管的重要指标，也是选型时需要考虑的关键因素。

-承受电压（Vds）：20N60场效应管的漏源电压Vds为600V，这意味着它能承受高达600V的电压而不发生击穿。

-承受电流（Id）：在25℃的环境下，20N60场效应管的漏极电流Id为20A，这是其连续工作的最大电流值。

2.20N60场效应管详细参数

除了基本参数外，20N60场效应管还有一些详细的参数，这些参数会影响其性能。

-漏极电阻（Rd）：20N60场效应管的漏极电阻为0.2Ω，这个值相对较小，有助于降低功率***耗。

-漏极电容（Coss）：20N60场效应管的漏极电容为2000F，这个值相对较小，有利于提高开关速度。

3.20N60场效应管温度系数

20N60场效应管有三种不同的温度系数，分别为：

-20Nm0：正温度系数（负温度系数为-0.1），放大倍数=1.15×10^-6/°C，输入电阻=10KΩ。

-20Nm1：正温度系数（负温度系数为-0.2），放大倍数=1.16×10^-6/°C，输入电阻=10KΩ。

-20Nm2：负温度系数（正温度系数为-0.4），放大倍数=1.18×10^-7/°C，输入电阻=10KΩ。

温度系数是指场效应管在温度变化时，其参数（如放大倍数、输入电阻等）的变化率。

4.场效应管类型与应用

根据导电沟道的不同，场效应管可以分为N沟道和沟道两种类型。N沟道场效应管在正栅源电压下导通，而沟道场效应管在负栅源电压下导通。

-N沟道增强型场效应管：当栅源电压为正值时，导电沟道开始形成，器件导通。

-沟道耗尽型场效应管：当栅源电压为负值时，导电沟道开始形成，器件导通。

场效应管广泛应用于电子开关、放大器、功率器件等领域。

5.20N60场效应管与IGT的区别

20N60场效应管和IGT（InsulatedGateiolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）都是功率器件，但它们之间存在一些区别。

-开关速度：场效应管的开关速度比IGT快。

-功耗：场效应管的功耗比IGT低。

-应用领域：场效应管适用于低功耗、高速开关应用，而IGT适用于高电压、大电流应用。

20N60场效应管是一款具有较高电压和电流承受能力的器件，适用于各种电子电路。了解其参数和特点，有助于您更好地选择和使用这一器件。